当前位置: 许由新闻 > 科技 > 台积电7nm 大量供货:近40年终于实现EUV光刻

台积电7nm 大量供货:近40年终于实现EUV光刻

2019-11-08 09:09:11   人气:3942

TSMC今天宣布,n7 7nm技术已经大量供应给客户,这是该公司和整个行业中第一个商业化的euv极紫外光刻技术。

极紫外光刻(Euv lithography)使用波长为10-14纳米的极紫外光作为光源,可以直接将曝光波长降低到13.5纳米,研发推动更先进的工艺。

Euv光刻技术早在20世纪80年代就已经发展起来。它最初计划用于70纳米工艺。然而,光刻指数已经不能满足需求,并且成本仍然很高。芯片制造商不得不引入浸没光刻、双曝光甚至多次曝光来开发新的工艺。

据TSMC介绍,他们的euv光刻机已经能够在日常生产中稳定输出超过250瓦的功率,完全能够满足现在和未来新技术的需求。

Euv也正被引入三星的7纳米工艺,但进展远远落后于TSMC。

TSMC表示,7纳米的生产速度也是该公司历史上最快的速度之一。它已经在今年第二季度投产,产量已经达到7纳米工艺的水平,并已投产一年多。

与7纳米相比,7纳米可以使晶体管密度在性能上提高15-20%,并提高功耗。

TSMC的7纳米工艺已经应用于许多客户的产品,但政府没有给出具体的清单。目前,唯一可以完全确认的是华为麒麟990 5g,amd的下一代zen 3架构被标记为7纳米工艺。

接下来,TSMC将继续向6纳米、5纳米、3纳米和2纳米的方向发展,其中6纳米(n6)相当于7纳米的升级版本。设计规则完全兼容。将继续采用euv技术。晶体管密度比7纳米增加了18%。预计明年第一季度投入试生产,明年年底将进行大规模生产。

安徽快三投注 一定牛彩票网 彩客网

版权所有deshmeaaj.com许由新闻 Copy Right 2010-2020